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Micro LED技術(shù)原理及簡介(Micro LED功能特性和優(yōu)勢及發(fā)展前景)
更新時間:2018-8-7 9:59:49 編輯:菲絮 文章來源:大為世紀(jì) 調(diào)整文字大小:【

Micro LED簡介

MicroLED是新一代顯示技術(shù),比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。20175月就已經(jīng)開始新一代顯示技術(shù)的開發(fā)。20182月便推出了MicroLED電視。

Micro LED功能特性

microLED比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。microLED出色的特性將使得它可以在電視、iPhone、iPad上應(yīng)用。

Micro LED歷史

說起Micro LED,先得從顯示TFT-LCD背光模組應(yīng)用說起。在1990年代TFT-LCD開始蓬勃發(fā)展時,因LED具有高色彩飽和度、省電、輕薄等特點(diǎn),部分廠商就利用LED做背光源。然而因成本過高、散熱不佳、光電效率低等因素,并未大量應(yīng)用于TFT-LCD產(chǎn)品中。

直到2000年,藍(lán)光LED芯片刺激熒光粉制成白光LED技術(shù)的制程、效能、成本開始逐漸成熟;當(dāng)進(jìn)入2008年,白光LED背光模組呈現(xiàn)爆發(fā)性的成長,幾年間幾乎全面取代了CCFL,其應(yīng)用領(lǐng)域由手機(jī)、平板電腦、筆電、臺式顯示器乃至電視等等。

然而,因TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理所致,其open cell穿透率約在7%以下,造成TFT-LCD的光電效率低落;且白光LED所能提供的色飽和度仍不如三原色LED,大部分TFT-LCD產(chǎn)品約僅72%NTSC;再則,于室外環(huán)境下,TFT-LCD亮度無法提升至1000nits以上,致使影像和色彩辨識度低,為其一大應(yīng)用缺陷。故另一種直接利用三原色LED做為自發(fā)光顯示點(diǎn)畫素的LED DisplayMicro LED Display的技術(shù)也正在發(fā)展中。

Micro led技術(shù)原理

MicroLEDDisplay的顯示原理,是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化,其尺寸僅在1~10μm等級左右;后將MicroLED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上,其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上;再利用物理沉積制程完成保護(hù)層與上電極,即可進(jìn)行上基板的封裝,完成一結(jié)構(gòu)簡單的MicroLED顯示。

而要制成顯示器,其晶片表面必須制作成如同LED顯示器般之陣列結(jié)構(gòu),且每一個點(diǎn)畫素必須可定址控制、單獨(dú)驅(qū)動點(diǎn)亮。若透過互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體電路驅(qū)動則為主動定址驅(qū)動架構(gòu),MicroLED陣列晶片與CMOS間可透過封裝技術(shù)。

黏貼完成后MicroLED能藉由整合微透鏡陣列,提高亮度及對比度。MicroLED陣列經(jīng)由垂直交錯的正、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆MicroLED的正、負(fù)極,透過電極線的依序通電,透過掃描方式點(diǎn)亮MicroLED以顯示影像。

MicroLED典型結(jié)構(gòu)是一PN接面二極管,由直接能隙半導(dǎo)體材料構(gòu)成。當(dāng)對MicroLED上下電極施加一正向偏壓,致使電流通過時,電子、空穴對于主動區(qū)復(fù)合,發(fā)射出單一色光。MicroLED光譜主波長的FWHM20nm,可提供極高的色飽和度,通?伞120%NTSC。

而且自2008年以后,LED光電轉(zhuǎn)換效率得到了大幅提高,100lm/W以上已成量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。因此對于MicroLED顯示的應(yīng)用,因其自發(fā)光的顯示特性,搭配幾乎無光耗元件的簡易結(jié)構(gòu),就可輕易實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設(shè)計。

這樣可解決目前顯示器應(yīng)用的兩大問題,一是穿戴型裝置、手機(jī)、平板等設(shè)備的80%以上的能耗在于顯示器上,低能耗的顯示器技術(shù)可提供更長的電池續(xù)航力;二是環(huán)境光較強(qiáng)致使顯示器上的影像泛白、辨識度變差的問題,高亮度的顯示技術(shù)可使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。

Micro LED優(yōu)勢

高亮度、低功耗、超高解析度與色彩飽和度。MicrolED最大的優(yōu)勢都來自于它最大的特點(diǎn),微米等級的間距,每一點(diǎn)畫素(pixel)都能定址控制及單點(diǎn)驅(qū)動發(fā)光。比起其他LED,發(fā)光效率上,目前MICROLED最高,且還在大幅提升空間;發(fā)光能量密度上,MICROLED最高,且還有提升空間!罢撸欣陲@示設(shè)備的節(jié)能,其功率消耗量約為LCD10%、OLED50%;后者則可以節(jié)約顯示設(shè)備有限的表面積,并部署更多的傳感器,目前的理論結(jié)果是,MICROLEDOLEDD比較,達(dá)到同等顯示器亮度,只需要后者10%左右的涂覆面積。與同樣是自發(fā)光顯示的OLED相較之下,亮度比其高30倍,且分辨率可達(dá)1500PPI(像素密度),相當(dāng)于AppleWatch采用OLED面板達(dá)到300PPI5倍之多。

壽命長。由于Micro-LED使用無機(jī)材料,且結(jié)構(gòu)簡易,幾乎無光耗,它的使用壽命非常長。這一點(diǎn)是OLED無法相比的,OLED作為有機(jī)材料、有機(jī)物質(zhì),有其固有缺陷——即壽命和穩(wěn)定性,難以媲美無機(jī)材料的QLEDMICROLED。

能夠適應(yīng)各種尺寸。成本降低空間大。目前微投影技術(shù)以數(shù)位光線處理(DigitalLightProcessingDLP)、反射式硅基板液晶顯示(LiquidCrystalonSiliconLCoS)、微機(jī)電系統(tǒng)掃描(MEMSScanning)叁種技術(shù)為主,但這叁種技術(shù)都須使用外加光源,使得模組體積不易進(jìn)一步縮小,成本也較高。相較之下,採用自發(fā)光的MicroLED微顯示器,不須外加光源,光學(xué)系統(tǒng)較簡單,因此在模組體積的微型化及成本降低上具優(yōu)勢.

應(yīng)用范疇廣。MicroLED解決了幾大問題,一個是消費(fèi)型平板包括智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備80%的能耗都在顯示器上,低能耗的MicroLED顯示器將大大延長電池續(xù)航能力,對于MicroLED顯示的應(yīng)用,因其自發(fā)光的顯示特性,搭配幾乎無光耗元件的簡易結(jié)構(gòu),就可輕易實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設(shè)計。二是環(huán)境光較強(qiáng)致使顯示器上的影像泛白、辨識度變差的問題,MicroLED高亮度的顯示技術(shù)可以輕松解決這個問題,使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。

Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈如何

對于一個MicroLED顯示產(chǎn)品,他的基本構(gòu)成是TFT基板、超微LED晶粒、驅(qū)動IC三大塊。這三者有一個共同的特點(diǎn),即大量繼承于已有的液晶和LED產(chǎn)業(yè)。

但是,為什么商顯行業(yè)對MicroLED的興趣沒有那么高漲?答案分兩個,第一是現(xiàn)在很多顯示企業(yè),最忙的事情是OLED。第二,MicroLED有一個其他電子行業(yè)幾乎不會用到的高難度工藝——巨量微轉(zhuǎn)移(也叫巨量轉(zhuǎn)移)。

“巨量轉(zhuǎn)移”是一個什么技術(shù)呢?簡單說就是在指甲蓋大小的TFT電路基板上,按照光學(xué)和電氣學(xué)的必要規(guī)范,均勻焊接三五百,甚至更多個紅綠藍(lán)三原色LED微小晶粒,且允許的工藝失敗率是有幾十萬分之一!挥羞_(dá)到這樣工藝的產(chǎn)品,才能真正應(yīng)用到AppleWatch3等產(chǎn)品上。

對于MicroLED的工藝問題,很多人認(rèn)為,可以從傳統(tǒng)LED屏中攝取經(jīng)驗。但是,MicroLED與傳統(tǒng)led顯示產(chǎn)品差別巨大。與傳統(tǒng)LED顯示屏比較,MicroLED的差別主要在于:1.精密程度數(shù)十倍的提升;2.集成工藝從直插、表貼、COB封裝等變成了“巨量微轉(zhuǎn)移”;3.缺陷可修復(fù)性幾乎為零;4.背板從印刷電路板,變成了液晶和OLED顯示所使用的TFT基板,或者CPU與內(nèi)存所采用的單晶硅基板。

即與傳統(tǒng)LED顯示屏比較,MicroLED在晶粒、封裝、集成工藝、背板、驅(qū)動等每一個方面都不一樣——所以,可以看到MicroLED產(chǎn)品的火熱沒有得到任何一個傳統(tǒng)LED大屏廠商的表態(tài)。

事實(shí)上,除了晶粒、TFT背板、IC這些“元組建”,繼承于LED晶粒、半導(dǎo)體顯示、IC設(shè)計企業(yè)等之外,MicroLED正真的核心則是“如何將這些元件集成”,即“巨量轉(zhuǎn)移”技術(shù)。后者是整個行業(yè)的命門。如果有企業(yè)要牽頭MicroLED產(chǎn)品,最需要的即是從這里入手。

不過,即便是這種比較深入的項目其對MicroLED的產(chǎn)業(yè)時間表預(yù)期亦不能樂觀:2018年實(shí)現(xiàn)全彩樣品,距離真實(shí)商業(yè)應(yīng)用還有多遠(yuǎn)依然不好說。以OLED為例,實(shí)現(xiàn)全彩,到目前手機(jī)行業(yè)的大規(guī)模認(rèn)可,中間走了二十余年。

綜上所述,從元件角度看,MicroLEDTFT、IC、LED晶粒上都不具有難度;但是從工藝和產(chǎn)業(yè)進(jìn)程看,巨量轉(zhuǎn)移橫亙在MicroLED愿景與現(xiàn)實(shí)之間,短期難以徹底跨越。

Micro LED應(yīng)用前景廣泛

目前如果考慮現(xiàn)有技術(shù)能力,Micro-LED有兩大應(yīng)用方向,一是可穿戴市場,有望在2018年推出Micro LED穿戴設(shè)備。;二是超大尺寸電視市場,Micro LED已在分辨率、亮度、對比度都具有優(yōu)良的性能。

從短期來看Micro-LED市場集中在超小型顯示器,從中長期來看,Micro-LED的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,橫跨穿戴式設(shè)備、超大室內(nèi)顯示屏幕外,頭戴式顯示器(HUD)、抬頭顯示器(HUD)、車尾燈、無線光通訊Li-Fi、AR/VR、投影機(jī)等多個領(lǐng)域。

 

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