Micro LED：晶能光電硅襯底GaN基技術(shù)的應(yīng)用機(jī)會(huì)
更新：2018-8-22 15:23:23 稿件：CNLED網(wǎng) 調(diào)整大小:【
大中小】
因具有超高解析度，高色彩飽和度，納秒級(jí)響應(yīng)時(shí)間以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，Micro LED成為Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Osram、Nichia等國(guó)際大廠爭(zhēng)相布局的新世代顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaN基LED技術(shù)的領(lǐng)跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
Micro LED芯片路線的選擇，必須要考慮到成本、良率、以及和轉(zhuǎn)移/鍵合工藝的兼容。外延片尺寸越大，不但可以降低芯片成本，提高外延面積利用率，而且更容易兼容IC工藝以提升Micro LED生產(chǎn)效率和良率。
晶能光電副總裁付羿表示，目前只有硅襯底GaN基LED實(shí)現(xiàn)了8英寸量產(chǎn)，并且在單片MOCVD
免責(zé)聲明：本文來(lái)源于CNLED網(wǎng),本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與中國(guó)視聽網(wǎng)無(wú)關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。如涉及到侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們及時(shí)刪除。
網(wǎng)友評(píng)論
編輯推薦
